任職要求1、 具有半導(dǎo)體物理和器件物理知識基礎(chǔ)，熟悉器件的直流、射頻電性測試。以GaN經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先，包括射頻和電力電子應(yīng)用，其它Si基器件亦可；2、 具有豐富的半導(dǎo)體工藝制程開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，包括 PVD、CVD和干法刻蝕。以GaN相關(guān)經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先，其它半導(dǎo)體材料基亦可；3、 熟悉射頻器件的結(jié)構(gòu)布局和版圖設(shè)計(jì)，熟練使用Silvaco、Sentaurus或Ansys等器件電學(xué)和熱學(xué)仿真軟件。以GaN經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先，其他Si基或GaAs基亦可；4、 熟悉器件的制程，流片和測試，能夠根據(jù)流片或者測試異常，分析制程原因。以GaN器件（含射頻、電力電子應(yīng)用）優(yōu)先，其他半導(dǎo)體經(jīng)驗(yàn)亦可；5、 熟悉GaN器件工作原理及可靠性失效機(jī)理，針對可靠性失效器件進(jìn)行分析和機(jī)理研究，可提出可靠性加固方案。以GaN經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先；6、 熟悉GaN射頻器件的應(yīng)用，包含小信號、大信號測試和分析，板級demo系統(tǒng)設(shè)計(jì)和調(diào)試，反饋器件問題。以GaN射頻器件應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先；7、 有較強(qiáng)的文檔撰寫能力和清晰的邏輯思維，包含專利，文章，項(xiàng)目申報(bào)等；8、 良好的英文讀寫水平，能夠有獨(dú)立查閱英文文獻(xiàn)資料的能力；9、 需要較強(qiáng)的團(tuán)隊(duì)協(xié)助能力和語言表達(dá)能力。具備良好的學(xué)習(xí)能力，責(zé)任意識較強(qiáng)，能夠承擔(dān)較大的工作壓力；